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5年记忆铭刻于星 三星存储媒体会召开

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发表于 2016-3-19 22:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
5年记忆铭刻于星 三星存储媒体会召开
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沙发
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:27 | 只看该作者
 作为摄影师外出拍摄大量的照片都需要快速的进行存储,无论是相机中的存储卡还是需要快速的导入到电脑中都离不开存储设备的支持。3月17日作为存储类知名厂商三星在京举办了“5年相伴,铭刻于星”的五周年庆典活动,在北京朝阳区八里庄红领巾公园健壹迎祥会议服务中心三星品牌存储相关领导与合作伙伴、媒体朋友欢聚一堂,共同分享三星品牌存储五年的成长、五年的辉煌,也希寄2016年三星品牌存储锐意进取,再创佳绩。
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板凳
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:28 | 只看该作者

三星电子大中华区品牌存储部总裁李明旭先生致词
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地板
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:29 | 只看该作者
 在会上三星电子大中华区品牌存储部总裁李明旭先生讲到“五年,半个时代的跨度,三星品牌存储一直坚守自己的信念,为更多的用户带来更为优质产品和服务,并以此来推动和引领整个存储市场的发展和变革。”在李明旭先生的致词后三星电子大中华区品牌品牌存储部销售总监李祎先生介绍了三星存储的目前情况及具体产品。
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5
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:30 | 只看该作者

三星电子大中华区品牌品牌存储部销售总监李祎先生介绍了三星存储的目前情况及具体产品
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6
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:30 | 只看该作者
据贝叶斯统计,在2011-2015年里,存储卡市场规模进一步扩大, 2015年三星存储占据了存储卡市场18%的份额,位居前列;SSD 市场在2015年较前年有一倍的增加,而三星SSD则占据了23%的份额,占据整个SSD市场第一的位置。现在正处于三星品牌存储5周年之际,在2016年,三星品牌存储能带给我们怎样的惊喜呢?
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7
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:31 | 只看该作者
·产业升级,西安半导体工厂增添“芯”动力
  2015年,三星电子西安半导体工厂完成了封装测试生产线竣工投运,封装测试生产线竣工量产,此举标志着三星电子半导体生产领域全业态产业链在国内正式形成。三星存储产品从材料,颗粒、芯片、封装全部在这里完成,在品质上让用户更加放心。正是凭借着超前的科技、完美的工艺、严谨的品质保障体系,三星存储一直引领着行业发展。
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8
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:31 | 只看该作者

李祎先生介绍行业情况
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9
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:32 | 只看该作者
 据了解,去年1-8月份,三星电子西安半导体工厂已累计实现产值115.09亿元,突破百亿元大关,形成了存储信息产业的规模化、高端化和差异化特色,改变了全国存储信息产业的格局,有力推进西部地区和陕西西安的产业结构调整和转型升级,而且使中国成为继美国、韩国之后的又一个全球半导体产业基地。
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10
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:32 | 只看该作者
·技术升级,V—NAND技术领先业界
  随着用户需求的不断提升,对存储产品的容量、性能都有了更高的要求。为此,三星存储创新推出了V—NAND技术,为固态硬盘带来全新的性能体验。“ 三星电子推出全新V—NAND技术,旨在推动固态硬盘领域的技术革新,并以其卓越的耐用性、高性能和高能效,引领高容量固态硬盘市场的发展。” 三星电子存储事业部品牌存储事业群金严洙专务指出:“我们将致力于为客户提供尖端V—NAND高性能固态硬盘,助力创新性计算环境的建立。”
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11
 楼主| 发表于 2016-3-19 22:34 | 只看该作者

三星V-NAND SSD产品
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 楼主| 发表于 2016-3-19 22:34 | 只看该作者
 三星的V—NAND闪存采用垂直单元结构,不仅突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性,更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。
  该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计,我们可以通俗的理解成,在单位空间内,晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的,就好比在一块土地上盖房子,如果是采用平房结构,那么就会降低土地的利用率,要是采用楼房的形式,就会大大提升单位面积的利用率。
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 楼主| 发表于 2016-3-19 22:35 | 只看该作者
·产品升级,更快更大更强的存储体验
  三星一直坚持履行承诺,提供速度更快、容量更大的下一代存储产品,在提高消费者满意度的同时巩固了三星品牌在存储领域的领导地位。
  在消费级SSD领域,全新的950 PRO固态硬盘采用V—NAND 3D垂直闪存技术,并在消费级SSD中首次采用了NVMe标准。950 PRO采用4通道第三代PCI-e接口,连续读写和随机读取速率都有所提升,512GB的连续读写速度可达2500/1500MB/s,随机读写可达300000/110000 IOPS。满足用户对未来计算系统不断增加的存储需求。
  850PRO、850EVO系列产品,升级到第三代V—NAND,由32层升级到48层堆栈技术,单颗容量可达256Gb即32GB。与上一代的单颗128Gb容量的产品相比,第三代V—NAND不仅容量翻倍,功耗也有30%下降,在能效、速度、容量上都有显著提升,让用户尽享全新的电脑使用体验。
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 楼主| 发表于 2016-3-19 22:36 | 只看该作者

三星V-NAND SSD产品展示区
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 楼主| 发表于 2016-3-19 22:37 | 只看该作者
 在企业级SSD方面,三星SM/PM 863采用开创性的 V—NAND技术, 在 2.5 英寸的规格内将系统容量最多增加到 3.84 TB,可节省宝贵的空间而没有额外的功耗或影响性能。在混合工作负载下提供很高的随机每秒输入/输出操作次数 (IOPS)、较低的延迟、更高的可靠性以及降低总体拥有成本 (TCO),适用于内容分发网络 (CDN)、流媒体处理或 Web 服务器。
  在移动固态硬盘方面,三星存储新推出了T3,这是一款只有手掌大小、时尚精美、具备TB级存储容量的外置固态硬盘。T3采用三星专有的垂直V—NAND技术和TurboWrite(写入加速)技术,保证了产品的先进性能,使之成为普通消费者、内容创作者、商务人士以及IT专业人员快速、轻松存储数据,进行跨设备大容量多媒体内容传输的理想之选。
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